logo
Wyślij wiadomość

Integracja multi-produktów, pełna obsługa etapów,
Wysoka kontrola jakości, spełnienie wymagań klienta

 

Obroty
Poprosić o wycenę - Email
Select Language
Dom
Produkty
O nas
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Skontaktuj się z nami
Poprosić o wycenę
Dom ProduktyMOSFET dużej mocy

IRLML6402TRPBF MOSFET dużej mocy P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML6402TRPBF MOSFET dużej mocy P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R
IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

Duży Obraz :  IRLML6402TRPBF MOSFET dużej mocy P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R Najlepsza cena

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: CHINY
Nazwa handlowa: Infineon
Numer modelu: IRLML6402TRPBF
Zapłata:
Minimalne zamówienie: Ilość w opakowaniu
Cena: contact sales for updated price
Szczegóły pakowania: taśma i rolka
Czas dostawy: 2 tygodnie
Zasady płatności: T/T
Możliwość Supply: 1000+
Szczegółowy opis produktu
MPN: IRLML6402TRPBF MFR: Infineon
Kategoria: MOSFET Rozmiar: 1,02*3,04*1,4 mm
Podkreślić:

MOSFET dużej mocy Si 20V

,

MOSFET dużej mocy P-CH

,

IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF Infineon Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Specyfikacje techniczne produktu

UE RoHS Zgodny
ECCN (USA) EAR99
Stan części Aktywny
Automobilowy Nie
PPAP Nie
Kategoria produktu MOSFET mocy
Materiał Si
Konfiguracja Pojedynczy
Proces technologii SZEŚCIOKĄTNY
Tryb kanału Wzmocnienie
Typ kanału P
Liczba elementów na chip 1
Maksymalne napięcie źródła drenażu (V) 20
Maksymalne napięcie źródła bramki (V) ±12
Maksymalne napięcie progowe bramki (V) 1.2
Temperatura złącza roboczego (°C) -55 do 150
Maksymalny ciągły prąd spustowy (A) 3,7
Maksymalny prąd upływu źródła bramki (nA) 100
Maksymalny IDSS (uA) 1
Maksymalna rezystancja źródła odpływu (MOhm) 65 @ 4,5 V
Typowy ładunek bramki @ Vgs (nC) 8@5V
Typowa bramka do drenażu (nC) 2,8
Typowa opłata od bramki do źródła (nC) 1.2
Typowy ładunek zwrotny (nC) 11
Typowa pojemność wejściowa @ Vds (pF) 633@10V
Typowa pojemność transferu wstecznego @ Vds (pF) 110@10V
Minimalne napięcie progowe bramki (V) 0,4
Typowa pojemność wyjściowa (pF) 145
Maksymalne rozpraszanie mocy (mW) 1300
Typowy czas upadku (ns) 381
Typowy czas narastania (ns) 48
Typowy czas opóźnienia wyłączenia (ns) 588
Typowy czas opóźnienia włączenia (ns) 350
Minimalna temperatura pracy (°C) -55
Maksymalna temperatura pracy (°C) 150
Opakowania Taśma i rolka
Maksymalny impulsowy prąd spustowy przy TC=25°C (A) 22
Maksymalna rezystancja termiczna otoczenia złącza na płytce drukowanej (°C/W) 100
Typowe napięcie plateau bramki (V) 1,9
Typowy czas odzyskiwania wstecznego (ns) 29
Maksymalne napięcie przewodzenia diody (V) 1.2
Typowe napięcie progowe bramki (V) 0,55
Maksymalne dodatnie napięcie źródła bramki (V) 12
Liczba pinów 3
Standardowa nazwa pakietu PIJUS
Pakiet dostawcy SOT-23
Montowanie Montaż powierzchniowy
Wysokość opakowania 1,02 (maks.)
Długość opakowania 3,04 (maks.)
Szerokość opakowania 1,4 (maks.)
Zmieniono płytkę drukowaną 3
Kształt ołowiu Skrzydło mewy

Szczegóły kontaktu
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Osoba kontaktowa: peter

Tel: +8613211027073

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas