Integracja multi-produktów, pełna obsługa etapów,
Wysoka kontrola jakości, spełnienie wymagań klienta

Obroty
Poprosić o wycenę - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Dom
Produkty
O nas
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Skontaktuj się z nami
Poprosić o wycenę

Categories: Wszystkie kategorie

Kryształowy komponent elektroniczny

Elektroniczne diody i tranzystory

Jednostka mikrokontrolera MCU

Przechowywanie danych w pamięci flash

Złącze płytki PCB

Układ scalony SMD

Cyfrowy moduł elektroniczny

MOSFET dużej mocy

Optoelektronika LED

Pasywne komponenty elektroniczne

Elastyczny obwód drukowany Fpc

Usługa montażu PCB

Elektroniczna tablica z wyświetlaczem cyfrowym

Przekaźnik mocy sygnału

Przełącznik DIP SMD

Narzędzia deweloperskie

Kabel drutowy UL

Czujniki komponentów elektronicznych

Zespoły pierścieni ślizgowych

Dom Produkty

MOSFET dużej mocy

Wszystkie produkty

Kryształowy komponent elektroniczny (67)

Elektroniczne diody i tranzystory (26)

Jednostka mikrokontrolera MCU (33)

Przechowywanie danych w pamięci flash (20)

Złącze płytki PCB (21)

Układ scalony SMD (159)

Cyfrowy moduł elektroniczny (6)

MOSFET dużej mocy (2119)

Optoelektronika LED (21)

Pasywne komponenty elektroniczne (21)

Elastyczny obwód drukowany Fpc (6)

Usługa montażu PCB (2)

Elektroniczna tablica z wyświetlaczem cyfrowym (6)

Przekaźnik mocy sygnału (12)

Przełącznik DIP SMD (25)

Narzędzia deweloperskie (6)

Kabel drutowy UL (2)

Czujniki komponentów elektronicznych (20)

Zespoły pierścieni ślizgowych (13)

Im Online Czat teraz

ITS4200SSJDXUMA1 Układy scalone Ics SW 1 IN 1 OUT 6V do 52V 1.2A 8-pinowy DSO T/R

IRLML6402TRPBF MOSFET dużej mocy P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML2803TRPBF MOSFET dużej mocy N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R

IRFP4368PbF Infineon Power MOSFET N kanał Si 75V 350A 3 Pin TO-247AC Tube

1 2 3 4 5

MOSFET dużej mocy

(2119)

MOSFET dużej mocy FDD10AN06A0 Kanał zasilający z kanałem N®MOSFET 60V, 50A, 10,5mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy FDD10AN06A0 Kanał zasilający z kanałem N®MOSFET 60V, 50A, 10,5mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:57

High Power MOSFET FDC8886 Kanał zasilający z kanałem N®MOSFET, 30 V, 6,5 A, 23 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8886 Kanał zasilający z kanałem N®MOSFET, 30 V, 6,5 A, 23 mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:56

Wysokowydajny MOSFET FDC8878 Rów zasilający z kanałem N®MOSFET, 30 V, 8,0 A, 16 mΩ
Kontakt

Wysokowydajny MOSFET FDC8878 Rów zasilający z kanałem N®MOSFET, 30 V, 8,0 A, 16 mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:56

High Power MOSFET FDC86244 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Mocy Rów®150V 2.3A 144mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC86244 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Mocy Rów®150V 2.3A 144mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:56

High Power MOSFET FDC8602 Podwójna ekranowana bramka N-Channel PowerTrench®100 V, 1,2 A, 350 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8602 Podwójna ekranowana bramka N-Channel PowerTrench®100 V, 1,2 A, 350 mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:56

High Power MOSFET FDC8601 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Zasilająca Rów®MOSFET, 100 V, 2,7 A, 109 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8601 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Zasilająca Rów®MOSFET, 100 V, 2,7 A, 109 mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:56

High Power MOSFET FDC855N Kanał N, PowerTrench®MOSFET, poziom logiczny, 30V, 6.1A, 27mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC855N Kanał N, PowerTrench®MOSFET, poziom logiczny, 30V, 6.1A, 27mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:56

MOSFET dużej mocy FDC658P Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ
Kontakt

Wysoka moc MOSFET FDC658P Pojedynczy poziom logiczny kanału P 30V 4A 50mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i serwisowaniu ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:56

MOSFET dużej mocy FDC658AP Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ
Kontakt

Wysoka moc MOSFET FDC658AP Pojedynczy poziom logiczny kanału P 30V 4A 50mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i serwisowaniu ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:55

MOSFET dużej mocy FDC6561AN Poziom logiczny podwójnego kanału N 30V 2,5A 95mΩ
Kontakt

Wysoka moc MOSFET FDC6561AN Podwójny poziom logiczny kanału N 30V 2.5A 95mΩ [Who jesteśmy?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd koncentruje się na pozyskiwaniu półprzewodników oraz sprzedaży i serwisowaniu ... Czytaj więcej Najlepsza cena

2022-05-30 22:15:55

Page 15 of 212|< << 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 >> >|

O nas

O nas

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

Układ scalony SMD

CC2541F256RHAR TI RF Transceiver IC TXRX MCU BLE 5.0 40VQFN

ATMEGA328P-AU MICROCHIP MCU 8-bitowy AVR RISC 32KB Flash 2,5V/3,3V/5V 32-pinowa taca TQFP

TPS92662AQPHPRQ1 TI Sterowniki LED o wysokiej jasności do montażu powierzchniowego 48 pinów

Przechowywanie danych w pamięci flash

24LC256T-E/SN Pamięć Flash Przechowywanie danych EEPROM I2C 256K bitów 8-pinowych SOIC N T/R

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F MICRON Nand Flash z mobilnym MCP LPDDR2 162 Ball

M24M01-RMN6TP Pamięć Flash Przechowywanie danych Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit

Jednostka mikrokontrolera MCU

STM8S003F3P6TR Jednostka mikrokontrolera ST MCU 8 bitów STM8 3,3 V/5 V 20-Pin TSSOP T/R

MSP430G2211IPW14R Jednostka mikrokontrolera TI MCU 16-bitowa MSP430 2,5V/3,3V 14-pinowa TSSOP T/R

STM32F030CCT6 Jednostka mikrokontrolera ST MCU 32-bitowa ARM Cortex M0 RISC 256KB Flash

Skontaktuj się z nami

Skontaktuj się z nami

Poprosić o wycenę

E-Mail

Mapa strony

Strona mobilna

MOSFET dużej mocy

ITS4200SSJDXUMA1 Układy scalone Ics SW 1 IN 1 OUT 6V do 52V 1.2A 8-pinowy DSO T/R

IRLML6402TRPBF MOSFET dużej mocy P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML2803TRPBF MOSFET dużej mocy N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R

IRFP4368PbF Infineon Power MOSFET N kanał Si 75V 350A 3 Pin TO-247AC Tube

MOSFET dużej mocy

MOSFET dużej mocy FDD10AN06A0 Kanał zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET 60V, 50A, 10,5mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8886 Kanał zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET, 30 V, 6,5 A, 23 mΩ
Kontakt

Wysokowydajny MOSFET FDC8878 Rów zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET, 30 V, 8,0 A, 16 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC86244 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Mocy Rów<sup>®</sup>150V 2.3A 144mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8602 Podwójna ekranowana bramka N-Channel PowerTrench<sup>®</sup>100 V, 1,2 A, 350 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8601 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Zasilająca Rów<sup>®</sup>MOSFET, 100 V, 2,7 A, 109 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC855N Kanał N, PowerTrench<sup>®</sup>MOSFET, poziom logiczny, 30V, 6.1A, 27mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC658P Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC658AP Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC6561AN Poziom logiczny podwójnego kanału N 30V 2,5A 95mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy

ITS4200SSJDXUMA1 Układy scalone Ics SW 1 IN 1 OUT 6V do 52V 1.2A 8-pinowy DSO T/R

IRLML6402TRPBF MOSFET dużej mocy P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R

IRLML2803TRPBF MOSFET dużej mocy N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R

IRFP4368PbF Infineon Power MOSFET N kanał Si 75V 350A 3 Pin TO-247AC Tube

MOSFET dużej mocy

MOSFET dużej mocy FDD10AN06A0 Kanał zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET 60V, 50A, 10,5mΩ Kontakt

High Power MOSFET FDC8886 Kanał zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET, 30 V, 6,5 A, 23 mΩ Kontakt

Wysokowydajny MOSFET FDC8878 Rów zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET, 30 V, 8,0 A, 16 mΩ Kontakt

High Power MOSFET FDC86244 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Mocy Rów<sup>®</sup>150V 2.3A 144mΩ Kontakt

High Power MOSFET FDC8602 Podwójna ekranowana bramka N-Channel PowerTrench<sup>®</sup>100 V, 1,2 A, 350 mΩ Kontakt

High Power MOSFET FDC8601 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Zasilająca Rów<sup>®</sup>MOSFET, 100 V, 2,7 A, 109 mΩ Kontakt

High Power MOSFET FDC855N Kanał N, PowerTrench<sup>®</sup>MOSFET, poziom logiczny, 30V, 6.1A, 27mΩ Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC658P Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC658AP Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC6561AN Poziom logiczny podwójnego kanału N 30V 2,5A 95mΩ Kontakt

MOSFET dużej mocy FDD10AN06A0 Kanał zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET 60V, 50A, 10,5mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8886 Kanał zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET, 30 V, 6,5 A, 23 mΩ
Kontakt

Wysokowydajny MOSFET FDC8878 Rów zasilający z kanałem N<sup>®</sup>MOSFET, 30 V, 8,0 A, 16 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC86244 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Mocy Rów<sup>®</sup>150V 2.3A 144mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8602 Podwójna ekranowana bramka N-Channel PowerTrench<sup>®</sup>100 V, 1,2 A, 350 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC8601 Kanał N-Kanał Ekranowany Bramka Zasilająca Rów<sup>®</sup>MOSFET, 100 V, 2,7 A, 109 mΩ
Kontakt

High Power MOSFET FDC855N Kanał N, PowerTrench<sup>®</sup>MOSFET, poziom logiczny, 30V, 6.1A, 27mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC658P Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC658AP Poziom logiczny pojedynczego kanału P 30V 4A 50mΩ
Kontakt

MOSFET dużej mocy FDC6561AN Poziom logiczny podwójnego kanału N 30V 2,5A 95mΩ
Kontakt